5
位置: 主页 > 知识库 >

什么是LED碳化硅衬底

  • 发布时间:2017-05-21 00:00   来源:未知
采用碳化硅材料作为衬底的LED芯片电极是L型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件。
与以Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,碳化硅(SiC)半导体在工作温度、抗辐射、耐高击穿电压性能方面有很大优势。SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等优点,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压及抗辐射的新要求,因而是半导体材料领域中最有前景的材料之一。由于SiC与GaN的晶格和热膨胀相匹配,所以它也成为制造高亮度GaN发光和激光二极管的理想衬底材料。
碳化硅衬底的导热性能比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体,并且在制造器件时底部需要使用银胶固晶,这种银胶的传热性能也很差。使用碳化硅衬底的芯片电极为L型,两个电极分布在器件的表面和底部,所产生的热量可以通过电极直接导出;同时这种衬底不需要电流扩散层,因此光不会被电流扩散层的材料吸收,这样又提高了出光效率。但是相对于蓝宝石衬底而言,碳化硅制造成本较高,实现其商业化还需要降低相应的成本。
0